SEM式ナノプロービングシステムの開発と半導体デバイス解析への応用

摘要

近年のLSI故障解析ではデバイスの微細化，構造の複雑化に伴い，詳細な故障箇所同定が困難となっている．これに対応するための技術として走査電子顕微鏡（SEM）を用いたナノプロービングシステムが開発された．SEM式ナノプロービングシステムではSEMで観察しながら，トランジスタや配線に徽経探針を接触させ，電気特性を計測する．本稿ではSEM式ナノプロービングシステムの実用化に対する開発課題（微細箇所へのプロービング可能な探針形状，高精度，高信頼測定のためのプロープ一読料間接触抵抗低減，探針長寿命化，高スループット化の為の高精度迅速プローブ動作制御，迅速プローブ交換，使いやすさのためのSEMの高画質化，広視野化など）および実際の解析事例について概説する．