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STEMの走査線と結晶格子によるモアレ縞による歪の計測

机译:通过STEM扫描线和晶格测量莫尔条纹引起的畸变

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摘要

STEMでのモアレ縞を利用した結晶歪の計測を報告する.STEMモアレ満は格子縞の同程度の間隔の走査線によるアンダーサンプリング効果で生成する,モアレの間隔は格子と走査線の間隔の比と方向によって決まる.このモアレ縞を用いることによりSiの格子歪の分布を定量的に測定できた,STEM像取得中の試料ドリフトを補正し,複数枚の歪マップの平均によって,計測精度はσ=0.2%程度まで高めることができた.
机译:我们报告了使用带有STEM的莫尔条纹测量晶体应变的方法。 STEM条纹的满度是由网格条纹中类似间距的扫描线的欠采样效应产生的,而条纹的间距则取决于网格和扫描线之间的间距的比例和方向。通过使用该莫尔条纹,可以定量地测量Si晶格应变的分布,校正STEM图像采集过程中的样品漂移,并通过对多个应变图求平均,测量精度为σ= 0.2%。我能够将其提高到一定程度。

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