論理回路の極低電力動作を実現する基板バイアス発生回路

摘要

近年、トランジスタの微細化が進んだことに伴い動作時の電力増加が課題になっている。本研究では65nmSOTB（Silicon on Thin Buried oxide）CMOSプロセスを使用し、論理閾値を1／2VDDに収束させるための閾値制御機能および温度上昇によるリーク電流の増加を抑制する機能を持つ基板バイアス発生回路（VBBOP）を開発した。本回路を用いることで論理回路の消費電力を最大43.8%削減することをシミュレーションにより明らかにした。また、実測において電源電圧0.5V以上ではVBBOPが動作することを確認した。これにより、SOTBプロセスにより論理LSIの低電力動作の見込みを得た。