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【24h】

Chain FeRAM技術概要とScalingに適したShield-Bitline-Overdrive技術

机译:适用于扩展的Chain FeRAM技术概述和Shield-Bitline-Overdrive技术

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摘要

本論文では、高密度化/高速化/高バンド幅化が可能なChain FeRAM技術の概要と、Scalingに適したShield-Bitline-Overdrive技術について述べる。提案するOverdrive技術は、微細化、低電圧化で顕在化するセル信号バラツキ起因の信号劣化やノイズを大幅に改善する。1.3V動作でTail-to-Tailのセル読出し信号量が90mVから180mVの2倍に増加した。
机译:在本文中,我们描述了可提高密度/速度/带宽的Chain FeRAM技术以及适用于扩展的Shield-Bitline-Overdrive技术的概述。所提出的Overdrive技术可以显着改善由于单元信号变化而引起的信号劣化和噪声,这种信号变化是由于电压的小型化和降低而变得明显的。在1.3V操作下,尾对尾单元读取信号量从90mV增加到180mV。

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