hp32nmノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk－FinFETで構成されたSRAM技術について

摘要

バルクシリコン基板上に周辺回路がplanar－FETで、メモリセルがFinFETによって構成されたSRAMを作成した。 異なるベータレシオ（β-ratio）を持つ2つのFinFET-SRAMセルを作成し、スタティックノイズマージン（SNM）に着目してSRAM特性の評価を行った。Fin幅15nm、Fin高さ90nm、ゲート長20nm、β-ratio＝2のFinFET-SRAMでは、V_(dd)＝0.6V時で122mVのSNMが得られた。 このゲート長は、今まで報告されているFinFET-SRAMの中では最小である。 さらにSRJMを構成している各FinFETの高さを個別に制御することによってβ-ratioの調整が可能であり、セル面積を変えることなくSNMが改善することも示す。