机译:关于SRAM技术,其中hp 32nm及更高节点的外围电路由Bulk Planar FET组成,而存储单元由Bulk-Fin FET组成
FinFET; SRAM; Cell array; SNM; β-ratio; butterfly cutve; hp32 nm node;
机译:关于SRAM技术,其中hp 32nm及更高节点的外围电路由Bulk Planar FET组成,而存储单元由Bulk-Fin FET组成
机译:关于SRAM技术,其中HP32NM节点和后面的外围电路的外围电路是Bulk-FinFET Bulk-FinFET
机译:对于SRAM技术外围电路散装平面FET和存储器单元由Bulk-FinFET朝向以后的HP32NM节点构成
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机译:1.对于一名公司雇员因男孩被监禁,绑架或私刑而被杀害的案件,可以申请对失去亲人的县提出国家赔偿要求。拒绝疏忽与犯罪结果之间因果关系的案件被驳回,但如果没有这种疏忽,则有可能因大约30%的犯罪而被撤销,并且由于侵犯这种可能性而造成的损害被确认