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【24h】

65nm時代以降のSoCデバイステスト技術-Low-k/Cu配線技術対応の試験および解析手法一

机译:65nm时代之后的SoC器件测试技术-Low-k / Cu布线技术的测试和分析方法1

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摘要

高性能化するSoCデバイスにおける歩留まり向上とテスト品質の確保という課題を両立するため、デバイス毎に試験条件を最適化するアダプティブ·テストが授唱されている。 このアダプティブ·テストに要求される新しいATE(AutomaticTcstEquipmenL)の構造を示した。 その応用例として、今後65nmノド以降、主流になると言われている低誘電率膜と銅配線(low-lく/Cu)における新たな不良モードを試験するアダプティブ·テスト試験手法を0.18/LmプロセスのATE用LSlを用いて検討した。
机译:为了在提高SoC器件性能的同时提高产量和确保测试质量这两个问题,已提倡优化每个器件测试条件的自适应测试。显示了此自适应测试所需的新ATE(AutomaticTcstEquipmenL)的结构。作为一个应用示例,一种用于在低介电常数薄膜和铜布线(low-lku / Cu)中测试新缺陷模式的自适应测试方法为0.18 /,据说该低模量和铜布线在喉道65 nm之后成为主流。使用LS1检查了Lm工艺的ATE。

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