走査型トンネル顕微鏡によるMoS_2表面ステップ近傍の電子状態の観察

摘要

走査型トンネル顕微鏡／分光法（STM／STS）により，MoS_2単結晶ベレサル（0001）面の上段ステップエッジ遽傍に新たな電子状態の存在を見出した．この電子状態は，STM像では試料電圧が負の場合にステップに沿った明るい畝状の構造として観測され，試料電圧が正の場合には見られないことから，実構造ではなく電子状態の反映であり，またこの電子状態はMoS_2（0001）面の価電子帯の準位であると推測される．STSによりテラスと畝状構造の電子状態密度を測定した結果，畝状構造に相当する領域にはフェルミ準位の下約0.5～1.3eVにテラスより高い電子状態密度が存在する.