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ELID研削と磁性流体研磨(MRF)を相乗した超精密仕上げ加工プロセスの研究:第二報 CVD-SiC加工への試み

机译:结合ELID研磨和磁流体抛光(MRF)的超精密精加工工艺研究:第二份报告,尝试CVD-SiC加工

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摘要

超精密,超微細かつ高品位な新加工技術の実用化には,複数の加工プロセスの連携·相乗化によってプロセス全体の経済性や効率化は重要と考えられる.前報では,ELID研削法と磁性流体研磨(MRF)法を相乗した超精密仕上げ加工プロセスを提案した.本報は,提案したプロセスをCVD-SiCの仕上げ加工に適用し,その加工能率と効果および仕上げ特性などについて検討する.MRFのみを利用した場合,CVD-SiCの粗面からナノメートルオーダの仕上げ面までの加工は,加工時間が長く,加工能率が低いことが判明し,ELIDとMRFを相乗したプロセスを利用することで加工時間の短縮ができ,ナノメートルオーダの表面粗さと数十ナノメートルオーダの形状精度が両立できることを明らかにした.
机译:为了将新的超精密,超精细和高质量的加工技术投入实际使用,重要的是通过链接和协同处理多个加工过程来提高整个过程的效率和效率。在先前的报告中,我们提出了一种结合ELID研磨方法和磁流体抛光(MRF)方法的超精密精加工工艺。在本报告中,我们将建议的工艺应用于CVD-SiC的精加工工艺,并检查其加工效率,效果和精加工特性。当仅使用MRF时,发现从CVD-SiC的粗糙表面到纳米级的精加工表面的加工时间长且加工效率低,因此应当使用ELID和MRF的协同过程。明确了可以缩短处理时间,并且可以使纳米级的表面粗糙度和几十纳米级的形状精度兼容。

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