Измерение диффузионной длины неосновных носителей заряда в тонких пластинах полупроводниковых кристаллов

摘要

Метод измерения диффузионной длины неосновных носителей заряда и оценки скорости поверхностной рекомбинации в тонких пластинах кремния заключается в измерении фототока через пластину с мелкозалегающими идентичными p-n-переходами большой площади на ее обеих сторонах (структура фототранзистора с "оборванной" базой). Измерения проводятся при двух полярностях приложенного напряжения и двух диаметрах воздействующего пучка засветки. Даются практические рекомендации по применению метода.