面発光レーザとスローライト光デバイスの新しい集積構造の提案

摘要

面発光レーザ（VCSEL）とブラッグ反射鏡導波路を用いたスローライト光デバイスの新しい集積構造を提案した．VCSELからスローライト光デバイスへの横方向光結合は，VCSELからスローライト光導波路への光の染み出しを制御することにより実現する．結合効率に関しては，従来のVCSELと同程度の50％以上の高い微分量子効率値が得られる．また，VCSELに半導体光増幅器（SOA）または電界吸収型の光変調器を集積した構造のモデリングを行い，VCSELに50μm程度の小型のスローライトSOAまたは光変調器を集積することにより，従来のVCSELに比べ数倍の出力が得られる可能性及び5dB以上の消光比の外部変調器集積化の可能性を示した．横方向光結合を利用することにより，VCSELに新しい機能性を集積することが可能となる．