SOI導波路基板上へのLDチップ実装方法に関する検討

摘要

SOI光集積プラットフォーム上に，半導体レーザ（LD）やフォトダイオード（PD）を集積化する技術が求められている．本論文では，SOI光集積プラットフォーム上へのLDの実装方法およ、びSi細線光導波路とLDとの低損失結合方法について理論的および実験的に検討した．検討した構造としては，LDをSOI光集積プラットフォーム上ヘフリップチップ実装し，スポットサイズ変換器を設けたSi細線光導波路とButt-joint結合させる方法である．解析では，2dB程度の最小光結合損失が得られることが分かり，光結合損失の測定結果と比較することで，解析の妥当性を示す．また，チップ実装時の位置ずれに対しても，十分なトレランスを有することが分かった．