コロイダルシリカを用いたゾル-ゲル電気泳動堆積法によるシリカ膜の作製

摘要

フレキシブルディスプレイの駆動回路用の薄膜トランジスタ（TFT）の絶縁層形成プロセスにおいては，基板としては耐熱性の低い高分子材料が用いられるため，絶縁膜の低温プロセスでの形成が必要とされる。高品質な絶縁膜としてゾル-ゲル法を用いたシリカ膜の作製方法の開発が行われてきた。ゾル-ゲル法は，金属アルコキシドを前駆体として，加水分解·重縮合反応を介してセラミックス膜を得る方法であり，低温プロセスでの成膜が可能であり，ディップコーティングなどの手法により基板上への製膜も容易に可能であるが，TFT用絶縁膜としては，欠陥のない緻密な膜であることが要求されるが，ゾル-ゲル法により作製されるシリカ膜は，ポーラスな構造を取りやすい。