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首页> 外文期刊>電子情報通信学会技術研究報告. 有機エレクトロニクス. Organic Material Electronics >埋め込みゲート構造を有するガラス上の自己整合メタルダブルゲート低温poly-Si TFT
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埋め込みゲート構造を有するガラス上の自己整合メタルダブルゲート低温poly-Si TFT

机译：具有嵌入式栅结构的玻璃上的自匹配金属双栅低温多晶硅TFT

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マルチゲート多結晶Si（poly-Si）薄膜トランジスタ（TFT）は近年注目を集め，盛んに研究されているテーマの1つである．本稿では埋め込みメタルゲートを有する．自己整合メタルダブルゲート低温poly-Si TFTを550℃のプロセス温度でガラス基板上に作製した結果について報告する．N-ch TFTの見かけ上の移動度は530cm~2/Vsであり，s値は140mV/decであった．この特性はトップゲートn-ch低温poly-Si TFTに比べ優れた性能である．
机译：近年来，多栅极多晶硅薄膜（TFT）引起了人们的关注，这是正在积极研究的主题之一。本文具有嵌入式金属门。我们报告了在550°C的处理温度下在玻璃基板上形成自匹配金属双栅低温多晶硅TFT的结果。 N-ch TFT的表观迁移率为530 cm至2 / Vs，s值为140 mV / dec。该特性优于顶栅n-ch低温多晶硅TFT。

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