首页> 外文期刊>電子情報通信学会技術研究報告. 電子デバイス. Electron Devices >InPによるPVT補償回路付き擬似正弦波関数発生器-ベクトル合成型移相器の線形制御のために
【24h】

InPによるPVT補償回路付き擬似正弦波関数発生器-ベクトル合成型移相器の線形制御のために

机译:具有InP的PVT补偿电路的伪正弦函数发生器-用于矢量复合移相器的线性控制

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

単一電圧制御かつ線形性の優れた制御特性を持つベクトル合成型移相器を実現するためには,擬似正弦波関数を発生するアナログ電圧-電圧変換回路が必要となる.PVT補償機能を備えた疑似正弦波発生回路をInP HBTにより実現したので報告する.本回路と直交変調器を組み合わせることで,移相量810°のベクトル合成型移相器を実現できる.
机译:为了实现具有单电压控制和优异的线性控制特性的矢量合成型移相器,需要产生伪正弦函数的模拟电压-电压转换电路。我们报告了具有由InP HBT实现的PVT补偿功能的伪正弦波生成电路。通过将该电路与正交调制器组合,可以实现相移量为810°的矢量合成型移相器。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号