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トピックス/超電導:C_(60)がトツプレースニ突入する

机译:话题/超导电性:C_(60)冲进Totsuplaceni

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摘要

1980年代の半ばにC_(60)の炭素球と高温超電導の発見という2つ驚異があり、今、ル叫セントテクノロジーズのベル研の研究トリオが、この2つの特徴を繋げ合わせた。 すなわち、C_(60)の結晶に他の成分を打ち込むことにより、117Kという高温での超電導性を発現させた。 これは偉大なことであり、室温超電導の可能性も見えてくる。 ここで、その足跡を見ておくことにする。 1991年に、サッカ匝ボール型のC60分子に、電子の伝導性を良くするためにアルカリ金属を導入すると、18Kで超電導性が発現することが見いだされた。 また、本質的に電子空孔である正孔を導入しても超電導性は得られるという。ところが、1990年代後期に、電子の代わりに正孔を導入することにより、超電導を発現する臨界温度を上げるということに疑問が投げかけられた。 そして、物質の状態密度の数が超電導温度に緊密に関係していることが見いだされた。 しかし、C_(60)に正孔の数を増やすのは難しい。 これまでの方法で′他の成分をド山ビングするとC_(60)結晶が壊れてしまう。ところが、昨年、ベル研は、新しい解決法を見いだしたのである。 結晶の周りにトランジスタを構築し、その電荷輸送能を利用して結晶を正孔漬けにすることで52Kまで臨界温度を上げることができた。
机译:在1980年代中期,出现了两个奇迹,即C_(60)碳球的发现和高温超导性,现在位于Le Screaming St. Technologies的Bell Labs的研究三人结合了这两个特征。即,通过将其他成分注入到C_(60)的晶体中,表现出在117K的高温下的超导性。这是一件很了不起的事情,而且室温超导的可能性也是可见的。现在,让我们看一下足迹。 1991年,发现将碱金属引入到Sacker球形C60分子中以提高电子电导率时,在18K时表现出超导性。另外,据说即使引入本质上是电子空位的空穴也可以获得超导性。但是,在1990年代后期,人们提出了通过引入空穴而不是电子来提高超导性发展的临界温度的问题。然后发现该物质的状态密度数与超导温度密切相关。但是,很难增加C_(60)中的孔数。如果其他成分通过常规方法鼓泡,则C_(60)晶体会破裂。但是去年,贝尔实验室找到了一个新的解决方案。通过在晶体周围构造一个晶体管,并利用其电荷传输能力将晶体浸入孔中,可以将临界温度提高到52K。

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