超短パルス,高平均出力固体レーザー装置の開発

摘要

現在開発が進められている次世代半導体露光装置では、波長13.5nmの極端紫外領域の光源（EUV）が利用されることになっている。ここで用いられるマスクでは、20nm以下の欠陥検査が必要とされており、高精度で高速に検査するための装置の開発が望まれている。われわれのグループでは、EUV顕微鏡による高分解マスク検査法を高速度に実施するために、高繰り返し、高平均出力のコヒーレントEUV光源の開発を行っている。本報告では、開発の概要と進捗について報告する。