ОПРЕДЕЛЕНИЕ СОДЕРЖАНИЯ Si В СЛОЕ YSZ НА Si(100) ПО ОЖЕ-СПЕКТРАМ ПРИ ИОННОМ ПРОФИЛИРОВАНИИ

В. Г. Бешенков; А. Г. Знаменский; В. А. Марченко; V. G. Beshenkov; A. G. Znamensky; V. A. Marchenko

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ОПРЕДЕЛЕНИЕ СОДЕРЖАНИЯ Si В СЛОЕ YSZ НА Si(100) ПО ОЖЕ-СПЕКТРАМ ПРИ ИОННОМ ПРОФИЛИРОВАНИИ

机译：离子扩散法从奥格谱测定硅（100）上YSZ层中的硅含量。

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Определено количество Si в слое YSZ, поступающего по дефектным участкам YSZ из кремниевой подложки, используя данные оже-спектроскопии. Изложены методические приемы математико-статистического анализа перекрывающихся оже-спектров малой интенсивности.

机译：使用俄歇光谱数据确定从硅基板到达YSZ的缺陷区域的YSZ层中的Si的量。介绍了低强度重叠俄歇光谱的数学和统计分析方法学技术。

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来源
《Известия Академии наук. Серия физическая 》 |2005年第4期| 共3页
作者
В. Г. Бешенков; А. Г. Знаменский; В. А. Марченко; V. G. Beshenkov; A. G. Znamensky; V. A. Marchenko;
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正文语种 rus
中图分类物理学 ;
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