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王吉云; 杨德嘉;
南京电子器件研究所;
磁控溅射; YBCO; 超导薄膜; 缓冲层; 二氧化锆;
机译:MOCVD法在硅和蓝宝石上沉积的YSZ层上制备YBCO:中间层对超导膜质量的影响
机译:通过化学溶液沉积在YSZ衬底上由烧绿石Nd2Mo2O7层缓冲的YBCO膜
机译:YBCO导体的织构Ni衬底上CeO {sub} 2 / YSZ / CeO {sub} 2缓冲层的外延生长
机译:在YSZ和SrTiO_3层缓冲的硅(100)晶片上制备的YBCO薄膜
机译:通过化学溶液沉积为YBCO涂层导体开发缓冲层。
机译:适用于YBCO涂层导体的新型厚厚致密晶格匹配单缓冲层的水溶液化学沉积:制备和表征
机译:CAF2缓冲硅上的YBCO超导薄膜的生长
机译:基于IBaD YsZ工艺的连续加工YBCO涂层导体缓冲层结构比较
机译:制备硅锗层,包括在由单晶硅制成的具有表面的基板上沉积渐变的硅锗缓冲层,以及在硅锗缓冲层上沉积硅锗层。
机译:YBCO外延膜沉积在Ca.sub.2 MeSbO.sub.6系统中的衬底和缓冲层化合物上,其中Me = Al,Ga,Sc和In
机译:用于高频电子产品生产的隧道二极管包括硅缓冲层,硅半导体层,硅中间层和形成在硅基板上的硅覆盖层
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