Получение слоев BGaAs методом МОГФЭ на подложках GaAs

摘要

Сообщается о получении эпитаксиальных слоев B_xGa_(1-x)As на подложке GaAs методом металлор-ганической газофазной эпитаксии при пониженном давлении. В качестве источников бора, галлия и мышьяка использовались триэтилбор, триметилгаллий и арсин. Были подобраны оптимальные условия роста. Слои были исследованы методами рентгеновской дифракции, вторичной ионной масс-спектрометрии и фототоковой спектроскопии. Результаты вторичной ионной масс-спектрометрии показали равномерное распределение бора по толщине слоя. По данным фототоковой спектроскопии ширина запрещенной зоны ВОаАв уменьшается с ростом концентрации бора.