В результате комплексного исследования гетерофазного фоточувствительного материала СdS-PbS с помо- щью методов сканирующей электронной микроскопии и оже-спектрометрии была обнаружена зависимость радиационной стойкости указанного материала от морфологии и состава фаз на его поверхности. Показано, что с ростом температуры отжига происходит рост скоплений с преимущественным содержанием PbS и изменение их состава вследствие реакции замещения атомов серы атомами кислорода. Последний из указанных процессов приводит к снижению радиационной стойкости reтерофазного фоточувствительного материала CdS-PbS, что объясняется снижением геттерирования ввиду возникновения промежуточного оксидированного слоя между PbS и CdS. Рост размеров и числа сферических скоплений на поверхности, состоящих из кристаллитов с преимущественным содержанием PbS, приводит к увеличению радиационной стойкости.
展开▼