Сопоставительный анализ моделей кинетики распадамолекул силана на поверхности при эпитаксиальном росте пленок кремния в вакууме

摘要

На основе различных физико-химических моделей проведен анализ поверхностных концентраций продуктов распада моносилана на поверхности кремниевой пластины. Выполненные расчеты позволили оценить коэффициент кристаллизации и его зависимость от температуры и от давления газа в реакторе. Показано, что качественный характер зависимостей поверхностных концентраций и коэффициента кристаллизации от температуры слабо зависит от конкретного выбора радикала SiH_n, лимитирующего процесс пиролиза по времени.