Получение и фотоэлектрические свойства эпитаксиального слоя Si, выращенного из расплава олова в техническом кремнии

摘要

Методом жидкофазной эпитаксии синтезирован эпитаксиальный слой Si1-xSnx (0.04) из технического кремния + оловянный раствор-расплав. Исследовано распределение химических компонентов по поверхности и по толщине эпитаксиальных Si1-xSnx слоев. Исследованы фотоэлектрические свойства полученных слоев и структур. Из результатов измерений можно говорить, что полученные слои структурно совершенные, металлические включения отсутствуют. Показано, что спектральная чувствительность полученных слоев смещается в длинноволновую сторону.