...
首页> 外文期刊>Физика >ВЛИЯНИЕ АНОДНОГО ОКИСЛА НА КОНЦЕНТРАЦИЮ ЭЛЕКТРОНОВ В n-СаАs
【24h】

ВЛИЯНИЕ АНОДНОГО ОКИСЛА НА КОНЦЕНТРАЦИЮ ЭЛЕКТРОНОВ В n-СаАs

机译:阳极氧化物对n-CaAs中电子浓度的影响

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
   

获取外文期刊封面封底 >>

       

摘要

Исследовано влияние анодного окисла на концентрацию электронов вблизи границы раздела Gа_2O_3-n-ОаАs. Получены кривые распределения электронов по координате в зависимости от напряжения анодирования, времени обработки оксидных пленок в кислородной плазме, температуры и длительности отжига. Снижение концентрации электронов в полупроводнике после нанесения анодного окисла объясняется появлением вакансий Gа, которые являются акцепторами в арсениде галлия.
机译:研究了阳极氧化物对Ga_2O_3-n-OaAs界面附近电子浓度的影响。根据阳极氧化电压,氧等离子体中氧化膜的处理时间以及退火的温度和持续时间,可以获得沿坐标的电子分布曲线。阳极氧化物沉积后半导体中电子浓度的降低是由砷原子镓中受主的镓空位的出现所解释的。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号