近磁界測定によるサイドチャネル評価実験

摘要

暗号を実装したデバイスの発生する消費電力や電磁波を計測し，内部の秘密情報を非破壊的に解析するサイドチャネル攻撃と呼ばれる物理攻撃が注視されており，暗号モジュールの安全性評価基準にも評価項目として取り入れる改訂が進められている．これまでデバイスの設計においては，消費電力や放射電磁波の量が着目されていたが，今後，そこに含まれる漏洩情報の評価も重要となると考えられる．我々はサイドチャネル攻撃の評価実験向けFPGAボードを開発しており，消費電力解析の研究を進めている．FPGAの電源電圧変動の測定は容易となっている一方，電磁波解析では情報を多く含む測定位置の特定が課題となっている．そこで本稿では有効な測定個所の特定に向けて，実装配置個所が指定可能なFPGAを利用して予備的な実験を行った．実験ではAES暗号回路の配置個所を変化させながら磁界測定を行い，測定磁場の強度の変化を確認した．