FET大信号モデルを用いたKu帯MMIC電力増幅器の温度補償ゲートバイアス回路の検討

摘要

近年，警戒管制用レーザーや衛星搭載用アンテナとしてAPAAの需要が高まっている．APAAにおいて所望の特性を得るために，マイクロ波モジュールの特性が均一であることが必要であり，それを構成するMMICの特性が環境温度に対して均一であることが求められる．ここでは，温度特性を考慮したFET大信号モデルを用いてKu帯MMIC電力増幅器の温度補償ゲートバイアス回路の検討を行ったので報告する．基本となる大信号モデルには温度特性を考慮でき，I-V特性が実測と良く一致するAngelovモデルを採用した．Angelovモデルの温度パラメータを抽出し，温度補償ゲートバイアス回路を設計した．設計した温度補償ゲートバイアス回路は抵抗とダイオードから構成されており，ダイオードの温度特性を利用してゲート電圧を制御することで利得の温度変化を補償している．設計した温度補償ゲートバイアス回路をKu帯MMIC電力増幅器に適用した結果，計算と実測において利得の温度変化を抑圧できることを確認した．