СИНТЕЗ И СТРУКТУРА ПОКРЫТИЙ ВN НА ПОВЕРХНОСТИ НАНОВОЛОКОН SiC

摘要

Проведены расчеты зависимости потенциала Гиббса от температуры для различных реакций синтеза BN. В результате исследования процесса синтеза покрытий BN на поверхности нановолокон SiC методом химического газофазного осаждения разработана методика формирования покрытий BN из нетоксичных исходных материалов. Установлено, что оптимальной температурой синтеза является 1300°С. Исследование нанокабелей BN/SiC методом просвечивающей электронной микроскопии показало, что толщина покрытий составляет 10—20 нм, а сформированный слой покрытия обладает гексагональной структурой.