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欠陥を持つグラフェン·チップの構造と電子状態-密度汎関数理論(DFT)計算によるアプローチ-

机译:缺陷石墨烯芯片结构和电子状态密度泛函理论(DFT)计算方法-

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摘要

グラフェン·チップは,無限グラフェンの一部を切り出したチップ状のナノサイズ·グラフェンである·ナノサイズの芳香族炭化水素であるために,エッジ部分を化学合成により容易に化学修飾可能である·エッジを水素原子で閉じると極めて酸化されにくく,空気中でも安定な電子デバイス材料として使える·また,無限グラフェンは,ゼロバンドギャップであるのに対してグラフェン·チップは,有限のバンドギャップを持ち,サイズおよび化学修飾によりバンドギャップを制御することができる.
机译:石墨烯片是通过切掉一部分无限量的石墨烯而得到的片状的纳米级石墨烯,由于是纳米级的芳香族烃,因此可以通过化学合成容易地进行化学修饰。当被氢原子封闭时,极难氧化,即使在空气中也可以用作稳定的电子器件材料;无限大的石墨烯的带隙为零,而石墨烯芯片的带隙,尺寸和大小均有限。带隙可以通过化学修饰来控制。

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