IGBTモジュール開発におけるデバイス·回路·熱の連携シミュレーション技術

摘要

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor）モジュールの設計において，小型化，高効率化，低ノイズ化などの要求を満足するため，シミュレーションによる事前解析の重要性が増している。富士電機では，従来，IGBTモジュールの構成要素ごとに行っていたデバイスや熱のシミュレーションを，回路シミュレーションをへ－スにして連携させ，モジュール全体の解析ができる連携シミュレーションを構築した。これにより，従来に比へて，熱特性で約10％から約5％に，電気特性で約40％から約10％に誤差が低減した精度の高いシミュレーションを実現している。