積層フリップチップ実装構造の残留応力低減構造に関する研究

摘要

モリスタ，，ク構造に代表される同位相バンプ積層構造においては，バンプI'.11のチ，，プ残留応力が数t7 MPaにも達する場合があり,チツプ内あるいは積層チ，プ間でデバィス特性分布が生じることが念されてしる。そこで，応力振幅約3OMPa以下に抑制し，積層チツプ間の応力分布の相違もほぼ0 MPaにできる構造を提案した「ンプとViaの接続構造において，千鳥配線構造が局所残留応力を低減するうえで有効であることを示し，さらに，低弾性率の緩#u材料をバンプ直Fに形成することも，局所残留応力の発生を抑制するうえで有効であることを示した。以I＿の結T,から，今後の高信頼·高性能ISIの実現には，残留応力を低減する最適構であることを明らかにした。