首页> 外文期刊>应用物理 >ブレークスルーのイノべーション理論ーメモリーデバイス産業は「ムーア以後」にどう立ち向かうか?
【24h】

ブレークスルーのイノべーション理論ーメモリーデバイス産業は「ムーア以後」にどう立ち向かうか?

机译:突破性创新理论—“摩尔之后”存储设备行业将如何应对?

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
       

摘要

ブレークスルーの源泉を理解するために,「知の具現化」と「知の創造」の二次元空間でイノべーション?プ口セスを表現するイノべーション?ダイヤグラムの方法を提示する.すべてのイノべーションは,「知の創造」と「知の具現化」の連鎖として表現できること,そしてその交差点としての「共鳴場」が成就に重要な役割を演ずることを見いだす.この方法により,ブレークスルーの第一のタイプにほかならない「パラダイム破壊型イノべーション」を導くとともに,ブレークスルーにはさらに二つのタイプがあることを発見する.この議論を通じて,未来を見抜くには科学パラダイムの地平に下りる能力とともに,さまざまな評価次元や学問分野に飛び移ることのできる「回遊」的思考が重要であることを論する.
机译:为了理解突破的根源,我们提出了一种创新图方法,用于在“知识的实现”和“知识的创造”的二维空间中表达创新。我们发现,所有创新都可以表达为“知识的创造”和“知识的体现”的链条,并且作为交集的“共振场”在实现中起着重要作用。通过这种方法,我们得出的“破坏范式的创新”不外乎是第一种突破类型,并且发现还有另外两种突破类型。通过讨论,我们认为,为了看到未来,具有落入科学范式视野的能力以及可以跳到各个评估维度和学术领域的“行走”思维非常重要。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号