大規模集積回路 (LSI: large scale ingegration)の微細化~(1))やハードディスクドライブ (HDD: hard disk drive)の記録密度増大~(2))に伴って，デバイス製造時のプロセスマージンが減少している．このため，製造の歩留まりを保つには，三次元ナノ構造の寸法（例えばパターン幅，高さ，側壁角度）をインラインで測定し，その結果に基づいてプロセスを安定制御することが重要である．最小パターンサイズの10分の1の精度での寸法制御が要求されるため，次世代の18 nmノードLSIや，パターンドメディアを記録媒体として用いるテラビット超級のHDDの製造では，三次元ナノ構造の寸法を数ナノメートルオーダーの精度で制御することが不可欠となってくる．寸法測定精度としては，寸法制御精度の5分の1から10分の1程度，すなわち数十から数百pmが必要となる．
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