Zピンチ放電プラズマEUV光源

摘要

次世代の半導体露光用光源として波長ほ5nmの極端紫外線（Extreme ultraviolet；EUV）の研究開発が日欧米で精力的に行われている．EUV露光の研究は1986年に発表された木下ら（当時NTT）の実験［1］に端を発する．いくつかの実証実験が行われたものの，EUV露光は当時の技術要請に合わず，しばらく表郷台には山てこなかった，その後も携帯電前をはじめとする濁度情報機器の登場とその高性能化に伴って，半導体の微細化技術はMooreの法則［2］に従って着実に進み，いよいよEUV光源が必要になってきたというわけである．実用化を見据えた本格的なEUV露光の研究が始まったのは，1997年に米国においてEUVLLC，欧州でもほぼ同時期にEUCLIDESコンソーシアムが設立されてからである．翌年の1998年に日本でも技術研究組合ASETにおいてEUV露光装慣の検討が始まった．光源の開発は欧米で先行していたところ，純国産のEUV露光装博を，との掛け声で2002年に経済産米省／NEDOの支援のもと技術研究組合EUV露光システム技術開発機構（EUVA）が旗揚げされた．翌年2003年には文部科学省によって大阪大学を中心としたEUV光源研究のリーディングプロジェクトが立ち上がり，EUVAの研究開発を理論的側面から支援している．この．ように経産省，文科省の支援のもと2009年の国産実用機投入をめざして産官学が一体となって研究開発が進められている．