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DIPS法による高純度·低欠陥単層力一ボンナノチュ一ブの連続合成と直径制御技術

机译:DIPS法高纯度,低缺陷,单层力单层力连续合成及直径控制技术

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摘要

単層カーボンナノチューブの合成手法である直噺熱分解合成(DIPS)法において,分解温度の異なる複数の原料を組み合わせて用いることによってSWNTの生成反応場の精密制御ができることを発見し,生成物の結晶性(グラファイト化粧)を火鰍こ向上し,従来の嶺産技術と比較して不純物濃度と構造欠陥を10分の1以上低減するとともに,生成物純度か97.5%まで向上した合成技術の開発に成功した.
机译:在直接热分解合成(DIPS)方法(一种合成单层碳纳米管的方法)中,我们发现可以通过使用具有不同分解温度的多种原料的组合来精确控制SWNT形成的反应场。与传统矿山生产技术相比,改进了结晶度(石墨组成)的合成技术的发展,将杂质浓度和结构缺陷降低了1/10以上,并将产品纯度提高到97.5%成功了。

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