大片单层低缺陷MXene的制备及其膜材料的电磁屏蔽性能

摘要

cqvip:采用原位生成氢氟酸法刻蚀Ti3AlC2制备了单片层二维过渡金属碳化物(MXene),用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)及原子力显微镜(AFM)等表征了MXene的微观形貌.结果表明,所制备的MXene材料具有大片、单层及低缺陷等特点.通过抽滤MXene分散液制备的MXene膜材料具有导电性高(3280 S/cm)及韧性优异等特点.MXene膜的屏蔽性能测试结果表明,8μm厚的MXene膜屏蔽效能为60.6d B,SSE/t值则高达19531.1 d B·cm^2·g^-1.推测MXene膜的屏蔽机理是一种以吸收为主的电磁干扰屏蔽机制.