シリコン酸化膜中の拡散機構を解明極微細な素子設計に新指針を提供

摘要

NTT物性科学基礎研究所ナノデバイス研究グループの植松真司主任研究員らは、慶應義塾大学の伊藤公平助教授らと共同で、同位体を用いてシリコン酸化膜（SiO_2）中のシリコン（Si）拡散を調べ、新たな拡散機構の解明に成功した。 これまではシリコン、シリコン酸化膜がシリコン窒化物の保護膜で覆われた場合、保護膜の下では何も起きないと考えられてきた。 今回、窒化膜で保護された場合でも、Si/SiO_2界面でSiO分子が大量に生成するため、酸化膜中の拡散が大幅に増連されることを明らかにした。