世界最高速のHBTを実現化合物半導体の構造設計と微細化で次世代大容量通信システムのカギに

摘要

NTTフォトニクス研究所のテラビットデバイス研究部は、化合物半導体のインジウムリン（InP）とインジウム·ガリウム·ヒ素（InGaAs）のヘテロ構造設計と微細加工の技術を駆使し、世界最高速のヘテロ·バイポーラ·トランジスタ（HBT）を実現した（Fig 1）。 今後、集積度の向上や回路設計技術の確立に取り組み、次世代大容量通信システムやその開発を支える計測装置のカギとなる素子にする考えだ。