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【24h】

単層カーボン·ナノチューブの電気伝導入門-ナノチューブ·量子ドットの電気伝導(弱トンネル結合領域)-

机译:单层碳纳米管电导论-纳米管量子点(弱隧道键合区)的电导率-

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摘要

[Ⅰ]では主として単層カーボン·ナノチューブ(SWNT)そのものの電気伝導機構を考えた。本稿[Ⅱ]では,量子ドットとしての,ナノチューブの電気伝導について考えよう。量子ドットとしての特性は,ナノチューブと(ソース·ドレイン)電極とのカップリングの度合に依存する。[Ⅱ]では弱結合領域について考えよう。[Ⅲ]では中間·強結合領域について考える予定である。
机译:在[I]中,我们主要考虑了单层碳纳米管(SWNT)本身的导电机理。在本文[II]中,让我们将纳米管的导电视为量子点。它作为量子点的性质取决于纳米管和(源/漏)电极之间的耦合程度。在[II]中,让我们考虑弱约束区域。在[III]中,我们计划考虑中间/强耦合区域。

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