公开/公告号CN104192818A
专利类型发明专利
公开/公告日2014-12-10
原文格式PDF
申请/专利权人 独立行政法人产业技术综合研究所;
申请/专利号CN201410075589.1
申请日2009-12-28
分类号C01B31/02;B82Y30/00;
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人李英
地址 日本东京
入库时间 2023-12-17 02:19:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-10-19
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C01B31/02 申请公布日:20141210 申请日:20091228
发明专利申请公布后的视为撤回
2015-01-07
实质审查的生效 IPC(主分类):C01B31/02 申请日:20091228
实质审查的生效
2014-12-10
公开
公开
机译: 金属碳纳米管的破坏方法,半导体碳纳米管的集合体的制造方法,半导体碳纳米管的薄膜的制造方法,半导体碳纳米管的破坏方法,金属碳纳米管的集合体的制造方法,制造方法碳纳米管薄膜的制造,电子器件的制造方法,碳纳米管集合体的制造方法,半导体碳纳米管的选择性反应的方法
机译: 碳纳米管集合体,具有三维形状的碳纳米管集合体,使用该碳纳米管集合体的碳纳米管成型体,组合物和碳纳米管分散液
机译: 碳纳米管集合体,具有三维形状的碳纳米管集合体,使用该碳纳米管集合体的碳纳米管成型体,组合物和碳纳米管分散液