МАТРИЧНЫЙ ФОТОПРИЕМНИК НА ОСНОВЕ ВАРИЗОННОГО ИЗОТИПНОГО P -р-ПЕРЕХОДА В СЛОЯХ КРТ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ

摘要

Представлена технология выращивания варизонных Р-р-переходов с потенциальным барьером в слоях теллурида кадмия и ртути (КРТ) и профилемсостава, контролируемым in situ с помощью эллипсометра (Р соответствует широкозонной, а р - узкозонной области полупроводника). На выращенных структурах изготовлены матричные фотоприемники 128 × 128 элементов для спектрального диапазона 8-12 мкм. Гибридная сборка матричного фотоприемника с кремниевыми мультиплексорами произведена методом групповой холодной сварки на индиевых столбах. Представлены экспериментальные температурные зависимости отношения сигнал/шум для матрицы фокальной плоскости с потенциальным барьером. Эти данные сравниваются с теоретической температурной зависимостью отношения сигнал/шум для идеального диффузионно-ограниченного диода и экспериментальными данными матричных фотоприемников без потенциального барьера в варизонном слое КРТ.