АНАЛИЗ СВЧ-ПОТЕРЬ В ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫХ pin-ДИОДАХ AlGaAs/GaAs

А. К. Шестаков; К. С. Журавлев

首页> 外文期刊>Автометрия >АНАЛИЗ СВЧ-ПОТЕРЬ В ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫХ pin-ДИОДАХ AlGaAs/GaAs

【24h】

АНАЛИЗ СВЧ-ПОТЕРЬ В ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫХ pin-ДИОДАХ AlGaAs/GaAs

机译：AlGaAs / GaAs异结构PIN二极管的微波损耗分析。

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

获取外文期刊封面封底 >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

С помощью численного моделирования исследована зависимость величины вносимых СВЧ-потерь от параметров структуры гетеростуктурного pin-диода. Определены механизмы возникновения этих потерь и выявлен механизм, оказывающий на потери наибольшее влияние.

机译：使用数值模拟，研究了引入的微波损耗的大小对异质结构pin二极管结构参数的依赖性。已经确定了这些损失的发生机理，并确定了对损失影响最大的机理。

著录项

来源
《Автометрия》 |2014年第3期|共8页
作者
А. К. Шестаков; К. С. Журавлев;
展开▼
作者单位

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类工程基础科学;
关键词
Pin-диод; СВЧ; вносимые потери;

机译：二极管;微波;插入损耗;

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. АНАЛИЗ СВЧ-ПОТЕРЬ В ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫХ pin-ДИОДАХ AlGaAs/GaAs [J] . А. К. Шестаков, К. С. Журавлев Автометрия . 2014,第3期

机译：AlGaAs / GaAs异结构PIN二极管的微波损耗分析。
2. Transient simulation of AlGaAs/GaAs/AlGaAs and AlGaAs/InGaAs/AlGaAs hot-electron transistors [J] . Kuzuhara M., Kim K. IEEE Transactions on Electron Devices . 1989,第1期

机译：AlGaAs / GaAs / AlGaAs和AlGaAs / InGaAs / AlGaAs热电子晶体管的瞬态仿真
3. AlGaAs and AlGaAs/GaAs/AlGaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy on silicon substrates [J] . Cirlin G. E., Reznik R. R., Shtrom I. V, Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal . 2017,第48期

机译：在硅基板上的分子束外延生长AlGaAs和AlgaAs / GaAs / AlgaAs纳米线
4. Characteristics of two-stage Γ-gate on AlGaAs/InGaAs/AlGaAs DH-HEMTs by using AlGaAs/InGaP etching-stop layers [C] . Jia-Chuan Lin, Fu-Xiang Zeng, Jia-Na Wei, International Conference on Advances in Materials and Manufacturing Processes . 2012

机译：采用Algaas / Ingap蚀刻层，使用Algaas / InGaAs / Algaas DH-HEMTS在Algaas / Ingaas / Algaas DH-Hemts上的特征
5. Vertical Integration of Optical Waveguides in the AlGaAs/GaAs Semiconductors [D] . Liao, Zhongfa. 2018

机译：AlGaAs / GaAs半导体中光波导的垂直集成
6. Theoretical study of strain-dependent optical absorption in a doped self-assembled InAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs quantum dot [O] . Tarek A Ameen, Hesameddin Ilatikhameneh, Archana Tankasala, 2018

机译：掺杂的自组装InAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs量子点中应变相关的光吸收的理论研究
7. Etude comparative entre les cellules solaires de type udp+-AlGaAs/p-GaAs/n-GaAs et une autre de type n+-AlGaAs/n-GaAs /p-GaAs. [O] . بالي أمينة 2013

机译：ud型太阳能电池的比较研究p + -AlGaAs / p-GaAs / n-GaAs和另一种n + -AlGaAs / n-GaAs / p-GaAs类型。
8. Transient Simulation of AlGaAs/GaAs/AlGaAs and AlGaAs/InGaAs/AlGaAs Hot-Electron Transistors [R] . Hess, K. 1989

机译：alGaas / Gaas / alGaas和alGaas / InGaas / alGaas热电子晶体管的瞬态模拟

АНАЛИЗ СВЧ-ПОТЕРЬ В ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫХ pin-ДИОДАХ AlGaAs/GaAs

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅