表面·薄膜物理学－原子テクノロジーの源流：第7章 新型RHEEDパターン，Si表面上の金属吸着構造と相転位－新型RHEEDパターンの観察法

摘要

反射高速電子回折（RHEED）は，Kikuchiの開発以来，結晶表面における凹凸や微粒子の研究に有効であることは良く知られていた．しかしながら，高速電子回折は電子頗微鏡の開発と相侯って発展し，真空度は10~(-5)～10~(-6)Torr程度で長年使用されてきた．その間にLEEDによる清浄表面の研究が大きく発展をして，RHEEDを清浄表面の研究に用いることはしばらく顧みられなかった．前章で説明したように，筆者らはRHEEDでも超高真空（UHV）中で実行すれば表面上の微粒子の研究ばかりでなく7×7構造のような2次元的な清浄表面の構造の研究にも極めて有力であることを実証した．さらに，Si（111）表面における清浄化の過程に形成されるSiC微粒子の挙動や高温における相転位（7×7～1×1）など，これまでLEEDでは十分な情報が得られなかったような表面現象でもRHEEDは詳細で有益な情報をもたらすことを実証した．