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3倍高感度の酸化マグネによるHDD用TRMへツド

机译:用于HDD的TRM磁头,灵敏度高3倍

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摘要

富士通と富士通研究所は、従来より感度を3倍高めたHDD読取り用磁気ヘッドを開発した。 現状のTMR(トンネル型磁気抵抗)ヘッド構造で、間に挟む1nmの絶縁障壁層に酸化マグネシウムを用いた。07年度中に現行の約2倍になる記録密度250Gbit/in~2のHDDに適用を目指す。 同500Gbit程度の次世代製品まで対応できる。開発したTMRヘッドは障壁層に従来の酸化アルミニウムに代わり、酸化マグネシウムを採用した。
机译:富士通和富士通实验室开发了一种用于HDD读取的磁头,其灵敏度是以前的三倍。在当前的TMR(隧道型磁阻)磁头结构中,氧化镁用于夹在它们之间的1 nm绝缘势垒层。我们的目标是将其应用于记录密度为250 Gbit / in〜2的HDD,到2007财年末将使当前水平提高一倍。它最多可以支持约500 Gbit的下一代产品。开发的TMR磁头使用氧化镁代替传统的氧化铝作为阻挡层。

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  • 来源
    《工業材料》 |2007年第6期|共1页
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  • 正文语种 jpn
  • 中图分类 工程材料学;
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