ロームが、シリコンカーバイドで高耐電圧·電力損失1/10のスイッチングデバイスを開発

摘要

半導体メーカーのロームは、このほど従来のシリコンパワーデバイスでは実現できなかった高耐圧で高速なスイッチングデバイスをシリコンカーバイド（SiC）を用いて開発した。 高耐圧、順方向立ち上がり電圧の低減、逆方向漏れ電流の低減を実現するためにバリヤハイトの低いショットキーメタルを選択した。 また安定した耐圧を出すために必要なガードリングの形成方法を見直し、シミュレーションなどを用いて構造設計をした。 スイッチング速度の高速化によりスイッチング回路使用時の電力損失をシリコンパワーデバイスの1/10に低減。 耐電圧600V、平均整流電流5A、逆方向回復時間をシリコンデバイスの1/3の10ns以下に短縮するなど性能を大幅に向上させた。 また素子の並列接続により電力損失を低減させる回路構成をする場合、使用する素子の実装個数を低減させることもできる。 さらに良好な放熱特性を利用することで冷却フアンも不要になり、システムの小型化、コスト削減にもつながる。