GaN系サブバンド間遷移を用いた超高速光制御デバイス

摘要

インターネットの普及と今後予想される発展に伴い，光通信ネットワークの高速大容量化が必須なものになっている。 （財）光産業技術振興協会が策定した光情報通信ロードマップによれば，2010年ころには幹線系では40Tb／sレベルの容量が必要となってくると予想されている。 これを実現するには，現在の主流技術であるDWDM（高密度波長分割多重）を推進していくことに加えて，波長チャネル当たりの伝送容量を数100Gb／s以上にまで引き上げることが必要になってくると考えられる。 このような高速の信号処理では，現在用いられている，光信号を電気信号に変換してから処理を行い再び光信号に変換して伝送するという，いわゆる"O-E-O（Optical-Electrical-Optical）"方式では対応困難で，"全光処理"が必要になる。 これを実現するキーデバイスの一つが全光ゲートスイッチである。 当社では，このようなゲートスイッチの動作原理として，超高速の光応答特性を持つ，窒化物半導体量子井戸中のISBTという現象を応用することを世界に先駆けて提案した。 現在，この現象について他の研究機関の注目も集まっているなかで，当社では，デバイスの早期実現を最優先課題として研究開発を行っている。