高品質SIMOX (Separation by Implanted Oxygen) ウェーハ技術

摘要

LSIの高速動作,低消費電力動作を低コストにて実現可能とする低ドーズ系SIMOXウェーハは,内部酸化（ITOX：Internal Thermal Oxidation）技術の適用により埋込酸化膜品質を改善するとともに，部分望乏型，完全空乏型の両デバイス動作に必要とされる0.1μm前後のシリコン層を，8インチウェーハ面内において優れた膜厚均一性，膜厚再現性にて提供することが可能となった。 このITOX技術を用いた低ドーズSIMOXウェーハの品質改善状況について紹介した。