Состояние разработок и тенденции развития высокотемпературных тензорезистивных датчиков давлений на основе карбида кремния

И. Н. БАРИНОВ; Б. В. ЦЫПИН

首页> 外文期刊>Приборы и системы: управление, контроль, диагностика >Состояние разработок и тенденции развития высокотемпературных тензорезистивных датчиков давлений на основе карбида кремния

【24h】

Состояние разработок и тенденции развития высокотемпературных тензорезистивных датчиков давлений на основе карбида кремния

机译：基于碳化硅的高温应变计压力传感器的发展现状和发展趋势

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Представлены состояние разработок, тенденции развития, а также конструктивно-технологические проблемы создания высокотемпературных полупроводниковых датчиков давлений на основе карбида кремния.

机译：介绍了基于碳化硅的高温半导体压力传感器的发展现状，发展趋势以及设计和技术问题。

著录项

来源
《Приборы и системы: управление, контроль, диагностика》 |2010年第11期|共11页
作者
И. Н. БАРИНОВ; Б. В. ЦЫПИН;
展开▼
作者单位

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类仪器、仪表;
关键词
карбид кремния; высокотемпературный датчик давления; технология изготовления; чувствительный элемент;

机译：碳化硅;高温压力传感器;制造技术;传感元件;

相似文献

中文文献
专利

Состояние разработок и тенденции развития высокотемпературных тензорезистивных датчиков давлений на основе карбида кремния

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅