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5GHz帯高温超伝導リアクション送信フィルタを用いたGaN HEMT電力増幅器の隣接帯域ひずみ抑圧および電力効率改善

机译:使用5GHz波段高温超导反应传输滤波器的GaN HEMT功率放大器的邻带失真抑制和功率效率改善

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摘要

マイクロ波高温超伝導リアクション送信フィルタを用いた,電力増幅器の相互変調ひずみ(IMD)抑圧法を提案する.非常に急峻なフィルタ特性によるIMD抑圧を実現することで,隣接チャネル漏洩電力比(ACLR)改善および増幅器の電力効率改善が可能となる.はじめに,無負荷Q値増加および表面電流密度低下のため,これまで提案している分割オープンリング共振器の構造最適化を行う.さらに,最適化した共振器を用いた帯域幅4MHzおよび遮断特性40dB/MHz以上の5GHzリアクションフィルタの設計および試作を行う.フィルタ適用によりACLR値は最大12.8dB改善し,通過電力40dBm時においてもその改善効果を維持可能であることを,5GHz帯電力増幅器ACLR評価実験で確率した.最後に,リアクションフィルタおよびGaN HEMT電力増幅器の測定結果に基づく数値解析を行い,ドレイン効率15.7%から44.2%まで改善可能となる可能性を明らかにした.
机译:我们提出了一种使用微波高温超导反应传输滤波器的功率放大器互调制失真(IMD)抑制方法。通过以非常陡峭的滤波器特性实现IMD抑制,可以改善相邻信道的泄漏功率比(ACLR)和放大器的功率效率。首先,我们优化到目前为止提出的开环谐振器的结构,以增加空载Q值并降低表面电流密度。此外,我们使用优化的谐振器设计并原型化了一个带宽为4 MHz,截止特性为40 dB / MHz或更高的5 GHz反应滤波器。通过使用滤波器,ACLR值最多可提高12.8 dB,并且在5 GHz频带功率放大器ACLR评估实验中,即使通过功率为40 dBm,也可能保持改善效果。最后,根据反应滤波器和GaN HEMT功率放大器的测量结果进行了数值分析,结果表明可以将漏极效率从15.7%提高到44.2%。

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