Co-SiO{sub}2グラニュラー膜を用いた電流絞込型CPP-GMR素子の磁気抵抗特性

摘要

電流絞込構造を有したCPP-GMR膜はTMR膜、及びオールメタルCPP-GMR膜の間に位置する次世代再生ヘッド用素子候補の一つであり、精力的な研究が進められている。 従来の電流絞込層は金属層を酸化して形成しているため素子特性の制御性、耐電圧性が乏しくヘッド量産製品適用の観点からは課題を残していた。 本研究では電流絞込層にCo-SiO{sub}2グラニュラー膜を用いることによりそれらの改善可能性について調査した。