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InSb磁阻元件的特性及无接触旋转传感器

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摘要

介绍了半导体材料的霍尔效应及磁阻效应，讨论了磁阻元件的特性，找到了ＩｎＳｂ磁阻特性曲线的拐点，提出旋转传感器的工作原理与结构设计，研制这种传感器的关键在于桥式电路的设计．

著录项

来源
《天津大学学报：自然科学与工程技术版》 |1999年第6期|774-776|共3页
作者
张之圣; 白花珍; 陈金亭; 陈智勇; 王玉东;
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作者单位

天津大学电子信息工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类敏感器件;
关键词
磁阻元件; 磁阻特性; 旋转传感器; 半导体; 锑化铟;

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